Elaboration Des Nitrures de Gallium Avec Traitement Si/N
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Elaboration Des Nitrures de Gallium Avec Traitement Si/N

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Description

Le traitement Si/N, lors de l'elaboration du GaN a haute temperature et a pression atmospherique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMetalliques (EPVOM), ameliore nettement la qualite morphologique, electrique, structurale et optique. Le mode de croissance observe est un passage de 3D a 2D au cours de l'epaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est realise en utilisant respectivement le magnesium et le silicium, conduisant ainsi a une homojonction p/n pour fabriquer une diode electroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuee.show more

Product details

  • Paperback | 160 pages
  • 150.11 x 219.96 x 9.4mm | 285.76g
  • Univ Europeenne
  • United States
  • French
  • Aufl.
  • black & white illustrations
  • 6131597278
  • 9786131597275

About Benzarti-Z

Docteur en physique des matériaux semi-conducteurs. Elle a soutenu sa thèse de doctorat en 2006 à l'université ElManar II de Tunis. Elle enseigne à la faculté des sciences de Monastir-Tunisie. Ses travaux de recherche se focalisent sur l'élaboration des semi-conducteurs III-V appliqués aux dispositifs optoélectroniques.show more